发布日期 2026-05-24 | B站
正文
7年亏了300多亿，长鑫科技只用一个季度就填平所有亏损，单日最高净赚3.6个亿，创下国产存储行业成立以来罕见的单季盈利纪录。这不是小说爽文，是真实的产业翻盘。与长鑫并肩突围的还有长江存储，其国内NAND闪存出货量已超越美国美光。两家中国公司从零起步，同时杀进了一个被三家外国巨头垄断了15年的市场。
巨头转型让出的第一道门缝
而撕开行业缺口的契机，最先来自海外巨头自身的战略调整。AI时代全面爆发，一台AI服务器吃掉的内存是普通服务器的好几倍，全世界的科技公司都在抢GPU、建数据中心，内存需求被疯狂拉升。三星、海力士和美光同时看到了一个更肥的生意，那就是HBM。这种AI专用高速内存传输快、算力适配性强，专门解决AI芯片算力强但数据跟不上的瓶颈，利润是普通内存的好几倍。三家默契地把大部分先进产线切了过去。巨头们的产能也是有限的，产线重点倾斜AI高端市场，民用消费级的普通内存产能投放收缩，全球普通内存市场出现缺货潮。可以说，垄断者自己亲手推开了自己守了15年的门。
但这也不代表谁都能挤进去。15年来无数公司试过，全部失败了。而这次，两家中国公司成功卡位入场。海外巨头战略转型让出的中低端市场缝隙，成了托举国产存储崛起的第一双手。
合肥和武汉的产业耐心
2016年，全球内存价格跌到了近15年冰点，全行业在关厂、撤离、逃跑。合肥没有跑，它砸了几百亿重金布局规模化内存制造基地，打造了一座全世界最大的内存工厂；武汉坚定深耕存储赛道，即使是长江存储刚成立时，做出来的芯片良率低到几乎全是废片，武汉依然不离不弃，七年来持续巨额投入，两家企业合计亏了数百亿。
华尔街等不了七年，硅谷等不了七年，合肥和武汉却等了。在最冷的时候逆势加码，在最亏的时候坚守不弃。他们笃定一个万亿级的市场，只要活到天亮，前面烧掉的可以全部挣得回来。合肥和武汉的长期主义和产业耐心，成为他们坚定的后盾，这在追求短期收益的海外成熟资本市场极为少见。可以说，政府的支持是托举产业崛起的第二双手。
不硬刚，在裂缝里卡位
产能落地，市场裂缝打开，两家国产企业没有盲目猛冲，而是选择精准绕路、差异化破局。长鑫避开必死的正面交锋，没有直接硬刚巨头垄断的HBM高端赛道，而是把所有产能全压在普通的通用内存上。短短半年，长鑫的全球份额直接翻倍。
长江存储深耕自研的同时把成本打到最低。自研的核心技术Xtacking，创新性地实现芯片上下层分离制造、精准键合拼接，良率更高，报废更少，成本压到行业最低。去年，行业迎来历史性突破：三星在自己新一代产品和长存达成专利授权合作，并且付了专利费。中国存储公司首次向全球顶级巨头收取专利费，实现技术反向突围。随后，长存芯片通过了苹果测试，开始给iPad供货，打入全球顶级消费电子体系。
避开正面硬刚、借窗口期卡位突围，这是中国式破局的标准动作。
订单托举出的第三双手
2019年，华为被列入出口管制清单，海外内存断供，长江存储几乎成了唯一的选择。华为的大额兜底订单、华为的困境，让小米、OPPO、vivo、联想产生了供应链安全焦虑，纷纷启动国产替代布局。恰好此时全球缺货，三巨头自己都交付延期，给国产厂商留出了绝佳窗口期。长鑫凭借稳定的产能、成熟资质和市场验证，快速落地各大品牌供应链，入驻小米、OPPO、联想ThinkPad等主流终端；阿里云、字节跳动、腾讯的上百万台服务器批量切换，消化了长鑫大量出货量。
技术封锁最终倒逼国内产业链抱团协同、自主可控。国内厂商发现国产质量远超预期、价格更稳、供应链更安全，一次被动的应急变成了结构性的供应链转移。国内整机与云厂商的订单，成为托举国产存储崛起的第三双手。
中国式破局从来不是在盲目硬刚巨头，而是在裂缝里扎根成长。三股力量托举长鑫、长江存储完成上半场逆袭，但这只是开端，真正的考验在下半场。
下半场：设备代差是最深的困境
今年一季度，SK海力士凭借HBM高端内存斩获超高利润，单季盈利远超苹果巅峰年份。反观国内，长鑫HBM仍处于测试迭代阶段，良率、性能远不及海外巨头，且始终落后一代技术迭代；长江存储更是尚未入局HBM高端赛道。这意味着长鑫和长存当下的盈利，都来自三巨头主动放弃的薄利的通用存储市场。巨头不是输了，只是在做更赚钱的事。一旦巨头回归，国内厂商是否还能站稳，就成了一个严峻的问题。
巨大差距的核心是硬件设备的代际鸿沟，而长鑫能拿到的最好机器，落后三星整整一代。这是今天中国存储产业当下最深的困境。光刻机短板不仅制约了存储产业，更是中国半导体升级的核心瓶颈。ASML的先进光刻机依托全球供应链的协同配套；先进封装设备，中国厂商能拿到的全部落后对手整整一到两代。这就是为什么长鑫的HBM良率迟迟上不去——不是不会做，是手上没有够精密的工具。硬件上限限制了产品上限。国产存储的短板，是高端架构、特种材料、先进封装共同构成的系统性产业链代差，这种差距暂时无法靠短期工艺微调抹平，要依靠长期高强度的研发投入持续追赶。
上市拿的是粮草，不是终点
这也是两家企业融资攻坚的核心意义。长鑫、长江存储两家的IPO正在卡这个位置。长鑫拟募资将近300亿元，其中90亿元专门砸HBM研发；长江存储募资计划同样清晰：一方面推进武汉三期晶圆厂扩产，目标远期月产能达50万片，计划产能布局DRAM领域，打破此前单一NAND的格局；另外一方面攻坚294层及以上Xtacking架构及先进封装技术研发，冲刺更高层数制程，同步布局HBM高端赛道，补齐产业短板。
他们未来要做的不是买更多光刻机，而是把有限设备用到极限，把良率不断提升，把代差从三年追到一年半，然后等国内设备厂商追上来。这是一个比七年亏损更难熬的周期。短期盈利冲刺上市，不代表翻过了山；上市只是拿到了继续突围、持续攻坚的粮草和底气。
但国产存储的成长价值已经远超企业自身盈利。国产产能站稳脚跟后，能够彻底打破三星等海外巨头单方面定价的垄断格局，掌握市场溢价权；每一颗国产存储芯片的出货，都会带动控制器、固件、封装、测试、设备材料一整条国内供应链协同发展；上市后的股权激励也能持续吸引、留住顶尖半导体工程师，夯实产业人才根基。
海外巨头让出市场缝隙，地方政府七年深耕铺路，国内大厂订单托举，三股力量把全速奔跑的双子星推到了门口。如今风口已至、铺垫已足，门外的高端赛道只剩他们自己全力奔赴。不用执着追赶巨头的背影，只需在产业窗口期关闭之前拼尽全力，跑出中国半导体的速度与高度。
附录
信息来源
- 长鑫科技科创板IPO拟募资295亿元，募投明细为75亿元晶圆产线改造升级、130亿元DRAM技术升级、90亿元DRAM前瞻技术（含HBM高带宽存储）研发（来源 财联社 、 21财经 、 上海证券报 ）
- 2025年2月三星电子与长江存储签署专利许可协议，从后者获得3D NAND“混合键合”专利用于新一代NAND开发（来源 观察者网 、 新浪财经 ）
- 长江存储3D NAND竞争力评估：TechInsights于2025年11月得出其已是3D NAND闪存领域领导者、超过美光的结论（长江存储诉美光案相关报道）；日经中文网后续报道其NAND闪存出货量超过铠侠、升至全球第三（来源 Yahoo财经 、 日经中文网 ）
- 长鑫科技IPO进程与长江存储科创板IPO拟募资330亿元（来源 财联社 、 凤凰网财经 ）
已核对
- “长鑫拟募资将近300亿元，其中90亿元专门砸HBM研发”：长鑫科技招股书披露拟募资295亿元，其中75亿元用于晶圆产线改造升级、130亿元用于DRAM技术升级、90亿元用于DRAM前瞻技术研发（上海证券报将其表述为投向“HBM高带宽存储技术研发项目”），与口播吻合。
- “三星在自己新一代产品和长存达成专利授权合作，并且付了专利费”：2025年2月韩媒ZDNet Korea独家报道、观察者网与新浪财经转述，三星与长江存储签署专利许可协议，获得3D NAND“混合键合”专利用于其新一代（V10）NAND开发，与口播吻合；视频发布于2026年5月，口播所称“去年”对应2025年，时间吻合。
- “其国内NAND闪存出货量已超越美国美光”：TechInsights于2025年11月评估长江存储已超越美光、成为3D NAND闪存领域领导者，日经中文网亦报道长江存储NAND出货量超铠侠、升至全球第三，事实方向有据；“国内NAND出货量”这一精确统计口径未找到，按口播保留。
- “长鑫、长江存储两家的IPO正在卡这个位置”：长鑫科技IPO已于2026年5月27日过会、6月12日注册获批，拟募资295亿元；长江存储亦已递交科创板IPO申请，拟募资330亿元。两家IPO均为真实事件，与口播吻合。
- “今年一季度，SK海力士凭借HBM高端内存斩获超高利润”：SK海力士受益于HBM需求、盈利大增为多方公开报道的共识，方向属实。
待核对
- “7年亏了300多亿”“单日最高净赚3.6个亿”“两家企业合计亏了数百亿”：财联社报道长鑫科技更新招股书“提前盈利”、一季度业绩“狂飙”，方向一致，但上述具体数字未找到精确对应的公开信源。
- “短短半年，长鑫的全球份额直接翻倍”：长鑫DRAM份额持续上升有多家报道，但“半年翻倍”的具体说法未找到对应统计。
- “单季盈利远超苹果巅峰年份”：与苹果巅峰年份的具体对比无法核实；“单季”与“单机”口播同音，按上下文取“单季”。
- “长存芯片通过了苹果测试，开始给iPad供货”：可查到2022年苹果曾测试长江存储NAND芯片（原计划用于面向中国市场的机型，后搁置），长江存储在诉美光案中亦称其128层NAND曾获苹果技术与品质认可，但“开始给iPad供货”未找到公开报道。
- “推进武汉三期晶圆厂扩产，目标远期月产能达50万片”“计划产能布局DRAM领域”：长江存储扩产计划有公开报道，但“远期月产能50万片”与“布局DRAM”未找到直接对应的公开信源。
- “攻坚294层及以上Xtacking架构”：多方报道称长江存储294层3D NAND已量产且良率超90%，但未见长江存储官方或权威媒体直接确认该层数，存疑。
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